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Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
基本情報
ブランド名: Diodes Incorporated
モデル番号: 1N5263B-T
最小注文数量: 1個
受渡し時間: 2~8仕事日
支払条件: T/T
ベストプライス 接触
ブランド: 組み込まれるダイオード 証明書: /
モデル: 1N5263B-T MOQ: 1個
価格: Negotiated 配達: 2~8仕事日
支払い: T/T
ハイライト:

Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス

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ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

ダイオード社 1N5263B-T

 

オリジナル ダイオード社 メーカー型式 1N5263B-T
ベンダー 主人 ベンダー モデル 11234142
タイプ ツェナーダイオード 整理番号 --
パッケージの数 -- 包む --
製品説明 ダイオード ツェナー 56V 500MW DO35
仕様 数値
電圧 - ツェナー (公称) (Vz) 261
許容範囲 ±5%
パワー - 最大 500mW
インピーダンス (最大) (Zzt) 150オーム
電流 - 逆漏れ @ Vr 100nA@43V
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 1.1V @ 200mA
動作温度 -65℃～200℃
取付タイプ スルーホール
パッケージ・ケース DO-204AH、DO-35、アキシャル
サプライヤー デバイス パッケージ DO-35

タグ:

H30R1602分離した半導体デバイス,

IRFB4310PBF,

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